Triode -
microprosseur - transistor bipolaire à jonction-transistor au
silicium - Transistor - Transistor à effet de champ - Transistor
Planar
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1904 Le premier tube vide ,la
diode fût inventée par John Fleming
Elec. Composant électronique ne laissant passer le courant (dans
l'idéal) que dans un sens, lorsqu'il est porté à une
différence de potentiel positive.
Les diodes sont utilisées pour redresser le courant alternatif,
c'est à dire le convertir en courant continu. cf. convertisseur.
La diode à filament a été réalisée par J. A. Fleming (1904).
Elle inaugurait l'ère des diodes à vide, ou à gaz raréfié
dont l'une des deux électrodes émet des électrons par effet
Edison ou effet thermoélectronique (cf. de Forest). Par la suite
vinrent les diodes mettant en jeu la conduction dans les solides
et non plus dans des gaz raréfiés ou le vide. Voir diode
Shockley, diode à pointe. La diode à semi-conducteur (à
jonction p-n) est réalisée à partir d'un transistor bipolaire
dont le collecteur est court-circuité à la base. La diode
Schottky est une diode à jonction métal-semi-conducteur.
La diode Zener est un type de diode particulier qui laisse passer
le courant en sens inverse au delà d'une tension déterminée,
correspondant à la tension de claquage de la jonction p-n. Il est
possible de travailler dans cette zone de tension car, grâce à
un dopage particulier du semi-conducteur, le claquage est
réversible (non destructif).
La diode à plasma comprend une cathode chaude (à 2000°C) qui
émet des électrons.
Les diodes IMPATT ( Impact ionization Mode Avalanche Transit Time)
et les diodes GUNN sont des composants "micro-ondes".
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Invention de la triode (Lampe) par L. FOREST.
Elle a été mise au point à partir de la diode de J. FLEMMING,
sur laquelle il a rajouté une feuille métallique, "l'audion"
qui s'appellera ensuite "triode" est un amplificateur
d'intensité électrique. La première "lampe"
réellement utilisable a été mise au point en France par H.
ABRAHAM et utilisée par l'ensemble des Alliés pendant la
première guerre mondiale, d'où son nom : Lampe TM (pour
Télégraphie Militaire).
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Circuit
intégré par Jack KILBY en 1958 chez texas instrument
Le principe consiste à fabriquer dans un même bloc de
semi-conducteur (une puce ) plusieurs composants (résistances,
condensateurs, transistors). Cette idée sera reprise quelques
mois plus tard par Robert NOYCE qui intégrant la technologie
planar mettra au point des procédés toujours utilisés
aujourd'hui.
Techn. Circuit formé de composants miniaturisés (actifs ou
passifs) assemblés sur un substrat constitué par une plaquette
de matériau semi-conducteur.
Ce type de dispositif permet d'intégrer des transistors, avec une
densité de plus en plus grande, afin de réaliser des fonctions
de plus en plus complexes (circuits de mémoire, microprocesseurs,
etc…).
On distingue les circuits intégrés à application spécifique ou
ASIC et les composants standards.
La réalisation des circuits intégrés s'effectue par divers
procédés de microélectronique issus du développement de
l'étude des semi-conducteurs (physique du solide). Leur
intégration et leur miniaturisation permettent un accroissement
permanent des performances de ces composants.
Certains circuits intégrés (mémoires EPROM, mémoires flash)
renferment des logiciels appelés parfois "logiciels
enfouis" (unbedded software) qui peuvent notamment être
dotés d'un système d'exploitation temps réel.
Techn. L'intégration et la miniaturisation des composants se
traduit en microélectronique par l'augmentation incessante de la
densité de transitors*. Cette intégration toujours plus poussée
assure l'amélioration des performances des composants
électroniques. Leur puissance logique (nombre d'instructions par
secondes traitées par ces composants) est également liée à
leur rapidité de commutation, limitée notamment par
l'évacuation de la chaleur libérée au sein du matériau.
Les circuits à très haut niveau d'intégration, (dits VLSI pour
Very Large Scale Integration) correspondaient, d'après le MITI,
à la quatrième génération informatique, la cinquième
génération correspondant aux architectures parallèles pour le
matériel informatique.
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Le premier microprocesseur:
le 4004 d'Intel
Il comporte 2300 transistors et exécute 60 000 opérations par
seconde à une fréquence de 108 Khz. Sa puissance était égale
à celle de l'ENIAC.
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Invention du transistor
bipolaire à jonction par J. BARDEEN, W. BRATTAIN et W. SCHOCKLEY
en 1947.
Il est constitué d'une très fine couche P entre deux couches N
(ou bien l'inverse). Lorsque l'on fait circuler un faible courant
entre une couche P et une couche N, un flux d'électrons entraîne
une conduction entre les deux couches de même nature: c'est
l'effet transistor. Ce composant est à l'origine d'une
révolution dans l'électronique, en effet la faible énergie
nécessaire pour le faire fonctionner, ainsi que sa petite taille
rendent très vite les tubes obsolètes
Puis le transistor au
silicium a été inventé en 1954 : il coûte moins cher ; est
plus facile a produire et à utiliser mais sa vitesse de
conduction est moins élevée, c'est le symbole d'une nouvelle
ère.
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Le transistor à
effet de champ a été inventé en 1959
Il est plus proche de la triode que le transistor bipolaire,
celui-ci est composé d'une électrode appelée grille qui module
la conductance entre une zone dite source et une autre dite drain
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Transistors Planar par Jean
HOERNI en 1960
C'est un transistor plat fabriqué à l'aide de gaz dopant
positivement, négativement ou bien transformant le silicium en
silice (oxyde de silicium) qui est un isolant
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